[科技奇點]2026年AI需求引爆記憶體漲價潮：DDR4、DDR3價格飆漲50%！

2026年記憶體市場：AI需求驅動下的價格狂潮

2026年，全球AI應用程式需求爆發性成長，帶動新世代記憶體技術發展，更意外引發對舊世代DDR3、DDR4記憶體的需求激增。由於記憶體大廠將產能轉向生產高頻寬記憶體（HBM）及新一代DDR5與LPDDR5，導致DDR4等舊世代記憶體供應量下滑，價格於2026年第一季預計上漲50%。TrendForce News也指出，DDR4價格漲幅預計高達50%，甚至連更舊的DDR3記憶體供應也同樣告急。

這波漲價潮主要原因，源於三星、SK海力士與美光等三大記憶體供應商的產能戰略調整，未能搶購到新世代記憶體的企業，紛紛轉向採購上一代DDR4記憶體，帶動價格上揚。對於舊款NAS或工業控制系統的用家來說，更換零件的成本將大幅上升。

此事件反映AI技術快速發展下，市場對於記憶體規格的多元需求。儘管新世代記憶體技術不斷推陳出新，但舊世代記憶體仍有其應用價值，特別是在特定領域或舊有設備的維護與升級上。然而，由於供應商的產能調整，導致舊世代記憶體供不應求，價格飆漲，這不僅增加了企業的營運成本，也可能對相關產業的發展造成影響。

產能轉向：三大記憶體巨頭的戰略調整

2026年，全球記憶體市場因AI需求爆發，掀起一波前所未有的漲價潮，這波漲價不僅限於新世代產品，更波及到DDR4和DDR3等舊世代記憶體。DDR4價格預計在第一季上漲50%，DDR3供應也告急。這波漲價的主要推手，是三星、SK海力士和美光等三大記憶體巨頭的產能策略調整，它們將產能轉向生產高頻寬記憶體（HBM）和新一代DDR5，導致DDR4和DDR3的供應量下降。

這波漲價潮對市場產生了廣泛影響。未能及時採購新世代記憶體的企業，轉而搶購DDR4，進一步推高價格。同時，更舊款的DDR3供應量因產能排擠而減少，價格也隨之上漲，這對使用舊款NAS或工業控制系統的用戶來說，更換零件的成本將大幅增加。TrendForce News的報導也指出，DDR4價格上漲，DDR3供應緊張。

這波記憶體價格上漲，也反映了市場對AI運算需求的樂觀預期。摩根士丹利證券認為，DDR4、DDR3、NOR Flash及SLC/MLC NAND的供需缺口可能進一步擴大，傳統記憶體供應商也可望分享HBM的成長。

供應鏈壓力：企業搶購與價格上漲的惡性循環

2026年，全球記憶體市場因AI需求爆發，掀起一波前所未有的漲價潮，成熟世代的DDR4、DDR3記憶體也未能倖免。DDR4價格預計在第一季上漲50%，DDR3供應更因產能排擠面臨斷貨危機。這波漲價潮源於三星、SK海力士與美光等大廠將產能轉向高頻寬記憶體（HBM）及新一代DDR5、LPDDR5，導致未能及時取得新世代記憶體的企業，轉而搶購DDR4，加劇價格上漲。

這波供應鏈壓力不僅影響企業採購成本，更衝擊舊設備維護。由於DDR3供應受限，舊款NAS和工業控制系統的零件更換成本將大幅上升。摩根士丹利證券指出，DDR4、DDR3、NOR Flash、SLC/MLC NAND等「舊世代」產品，反而陷入結構性短缺，預估DDR4本季漲幅可能達50%，且漲勢有望延續至第二季。

此事件反映了AI時代對記憶體需求的巨大壓力，以及供應鏈調整對市場帶來的衝擊。同時，美光宣布結束旗下消費級Crucial品牌，專注於AI企業，也顯示了產業重心轉移的趨勢。

市場反應：股價飆漲與投資者的關注

2026年伊始，記憶體市場延續了2025年的火熱態勢，AI（人工智慧）的蓬勃發展持續推動DDR3、DDR4等舊世代記憶體的價格飆漲，第一季DDR4價格漲幅預計高達50%，甚至連DDR3也面臨供應短缺的困境。

這波漲價潮主要源於三星、SK海力士與美光等主要供應商的產能調整，為滿足市場對高頻寬記憶體（HBM）及新一代DDR5、LPDDR5的需求，產能轉向。未能及時取得新世代記憶體的企業，轉而採購DDR4，進一步推升價格。同時，DDR3的供應量因產能排擠而減少，導致價格上漲，對於舊款NAS或工業控制系統的用戶而言，更換零件的成本也將隨之增加。

市場對此反應熱烈，相關股票如南亞科等股價應聲上漲。摩根士丹利證券（大摩）在報告中指出，DDR4、DDR3、NOR Flash及SLC/MLC NAND的供需缺口可能進一步擴大，並上調華邦電、南亞科等5家台廠目標價，並維持「優於大盤」評等。南亞科股價更創下歷史新高，顯示投資人對記憶體產業前景的信心。

這波記憶體價格上漲，不僅影響到企業採購成本，也牽動著投資者的神經。市場普遍預期，在AI需求持續增長、供應鏈調整的背景下，這波漲勢有望延續至2026年。

未來展望：供需失衡下的長期影響

2026年，全球對於AI運算的需求持續推升，記憶體市場也因此進入了劇烈波動期。由於三星、SK海力士與美光等主要供應商調整產能，將資源轉向生產高頻寬記憶體（HBM）及新一代DDR5與LPDDR5，導致DDR4與DDR3等舊世代記憶體供應吃緊，價格預計將持續上漲。DDR4在2026年第一季的價格漲幅可能高達50%，DDR3也面臨供應告急的窘境。

這波漲價潮不僅影響企業採購，也波及到消費者。未能及時取得新世代記憶體的企業，轉而搶購DDR4，進一步推升價格。同時，DDR3的供應量因產能排擠而減少，使得更換舊款NAS或工業控制系統零件的成本也隨之上升。摩根士丹利證券（大摩）在報告中指出，DDR4、DDR3、NOR Flash及SLC/MLC NAND的供需缺口可能進一步擴大，並上調相關台廠目標價。

此事件反映了AI時代下，記憶體產業的結構性轉變。一方面，先進製程與高頻寬記憶體成為市場主流；另一方面，舊世代記憶體因供應鏈調整而面臨價格上漲的壓力。這種供需失衡的現象，不僅考驗著企業的採購策略，也提醒著消費者，在升級或維護設備時，需謹慎評估成本。

參考閱讀

2026 年了，舊世代 DDR3、DDR4 記憶體都被瘋搶加價，預計 Q1 漲幅可達 50%,Yahoo Tech • 1 小時前
大摩喊記憶體還沒見頂 5台廠「新目標價」上看555元, 民報 via Yahoo奇摩新聞
2026 年了，舊世代 DDR3、DDR4 記憶體都被瘋搶加價，預計 Q1 漲幅可達 50%, Yahoo Tech
記憶體噴了！南亞科法說重點、外資觀點「總整理」, 三立新聞網